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半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司。
主要起草人王玥 、朱晓彤 、孙燕 、宁永铎 、徐新华 、徐国科 、李春阳 、张海英 、陈海婷 、丁雄杰 、郭正江 。
基础信息
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标准号:GB/T 43894.1-2024
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发布日期:2024-04-25
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实施日期:2024-11-01
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部分代替标准:暂无
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全部代替标准:暂无
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标准类别:方法
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中国标准分类号:H21
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国际标准分类号:77冶金77.040金属材料试验
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归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
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执行单位:暂无
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主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
采标情况
起草单位
山东有研半导体材料有限公司
金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司
广东天域半导体股份有限公司
浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
中环领先半导体材料有限公司
鸿星科技(集团)股份有限公司
起草人
王玥
朱晓彤
徐新华
徐国科
陈海婷
丁雄杰
孙燕
宁永铎
李春阳
张海英
郭正江
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