-
步入式恒温恒湿试验箱
-
电感耦合等离子体光谱仪
-
高效液相色谱仪
-
流式细胞仪
-
气相色谱仪
-
万能力学试验仪
III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。
主要起草人曾雄辉 、董晓鸣 、苏旭军 、牛牧童 、王建峰 、徐科 、王晓丹 、徐军 、郭延军 、陈家凡 、王新强 、颜建锋 、敖松泉 、唐明华 、闫宝华 、李艳明 。
基础信息
-
标准号：GB/T 44558-2024
-
发布日期：2024-09-29
-
实施日期：2025-04-01
-
部分代替标准：暂无
-
全部代替标准：暂无
-
标准类别：方法
-
中国标准分类号：H21
-
国际标准分类号：77冶金77.040金属材料试验
-
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
-
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
-
主管部门：国家标准委
采标情况
起草单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
江苏第三代半导体研究院有限公司
北京大学
北京大学东莞光电研究院
ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司
山东浪潮华光光电子股份有限公司
苏州纳维科技有限公司
苏州科技大学
国家纳米科学中心
东莞市中镓半导体科技有限公司
苏州大学
北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司
起草人
曾雄辉
董晓鸣
王建峰
徐科
郭延军
陈家凡
敖松泉
唐明华
苏旭军
牛牧童
王晓丹
徐军
王新强
颜建锋
闫宝华
李艳明
相近标准
GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
YB/T 4676-2018 钢中析出相的分析 透射电子显微镜法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
JB/T 5585-1991 透射电子显微镜分辩力测试方法
JB/T 5584-1991 透射电子显微镜放大率测试方法
20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
GB/T 35098-2018 微束分析 透射电子显微术 植物病毒形态学的透射电子显微镜鉴定方法
上一篇：GB/T 44527-2024
